LPE PE2061S용 SiC 코팅 배럴 서셉터

VeTek Semiconductor는 LPE PE2061S를 위한 선도적인 SiC 코팅 배럴 서셉터 제조업체이자 중국의 혁신업체입니다. 우리는 수년 동안 SiC 코팅 재료를 전문적으로 사용해 왔습니다. 우리는 LPE PE2061S 4'' 웨이퍼용으로 특별히 설계된 SiC 코팅 배럴 서셉터를 제공합니다. 이 서셉터는 LPE(액상 에피택시) 공정 중 성능과 내구성을 향상시키는 내구성 있는 탄화규소 코팅이 특징입니다. 중국 공장 방문을 환영합니다.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 전문적인 중국 SiC 코팅 배럴 서셉터입니다.LPE PE2061S제조업체 및 공급 업체.

LPE PE2061S용 VeTeK Semiconductor SiC 코팅 배럴 서셉터는 고도로 정제된 등방성 흑연 표면에 미세한 탄화규소 층을 적용하여 만든 고성능 제품입니다. 이는 VeTeK Semiconductor의 독점 기술을 통해 달성됩니다.화학 기상 증착(CVD)프로세스.

LPE PE2061S용 SiC 코팅 배럴 서셉터는 일종의 CVD 에피택셜 증착 배럴 반응기로 극한 환경에서 안정적인 성능을 제공하도록 설계되었습니다. 뛰어난 코팅 접착력, 고온 산화 저항성 및 내부식성으로 인해 열악한 조건에서 사용하기에 탁월한 선택입니다. 또한 균일한 열 프로파일과 층류 가스 흐름 패턴은 오염을 방지하여 고품질 에피택셜 성장을 보장합니다.

우리 반도체의 통 모양 디자인에피택셜 반응기층류 가스 흐름 패턴을 최적화하여 균일한 열 분포를 보장합니다. 이는 불순물의 오염이나 확산을 방지하는 데 도움이 됩니다.웨이퍼 기판의 고품질 에피택셜 성장 보장.

우리는 고객에게 고품질의 비용 효율적인 제품을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 당사의 CVD SiC 코팅 배럴 서셉터는 두 가지 모두에 대해 우수한 밀도를 유지하면서 가격 경쟁력의 이점을 제공합니다.흑연 기판그리고탄화규소 코팅, 고온 및 부식성 작업 환경에서 안정적인 보호 기능을 제공합니다.

CVD SIC 필름 결정 구조의 SEM 데이터:

CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

단결정 성장을 위한 SiC 코팅 배럴 서셉터는 매우 높은 표면 평활성을 나타냅니다.

흑연 기판과 흑연 기판 사이의 열팽창 계수 차이를 최소화합니다.

실리콘 카바이드 코팅으로 접착 강도를 효과적으로 향상시키고 균열 및 박리를 방지합니다.

흑연 기판과 탄화규소 코팅은 모두 높은 열 전도성과 우수한 열 분포 기능을 갖추고 있습니다.

녹는점이 높고, 온도가 높다.내산화성, 그리고내식성.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg^-1·케이^-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m^-1·케이^-1
열팽창(CTE)	4.5×10^-6K^-1