중국 실리콘 카바이드 코팅, 탄탈륨 카바이드 코팅, 특수 흑연 제조업체, 공급 업체, 공장

탄탈륨 카바이드 코팅

VeTek 반도체는 반도체 산업을 위한 탄탈륨 카바이드 코팅 재료의 선도적인 제조업체입니다. 당사의 주요 제품으로는 CVD 탄탈륨 카바이드 코팅 부품, SiC 결정 성장 또는 반도체 에피택시 공정용 소결 TaC 코팅 부품이 있습니다. ISO9001을 통과한 VeTek Semiconductor는 품질에 대한 통제력이 뛰어납니다. VeTek Semiconductor는 반복적인 기술의 지속적인 연구 및 개발을 통해 탄탈륨 카바이드 코팅 산업의 혁신자가 되기 위해 최선을 다하고 있습니다.

주요 제품은탄탈륨 카바이드 코팅 디펙터 링, TaC 코팅 전환 링, TaC 코팅 반달 부품, 탄탈륨 카바이드 코팅 행성 회전 디스크(Aixtron G10), TaC 코팅 도가니; TaC 코팅 링; TaC 코팅된 다공성 흑연; 탄탈륨 카바이드 코팅 흑연 서셉터; TaC 코팅 가이드 링; TaC 탄탈륨 카바이드 코팅 플레이트; TaC 코팅 웨이퍼 서셉터; TaC 코팅링; TaC 코팅 흑연 커버; TaC 코팅 청크등, 순도는 5ppm 미만이며 고객 요구 사항을 충족할 수 있습니다.

TaC 코팅 흑연은 독점 화학 기상 증착(CVD) 공정을 통해 고순도 흑연 기판의 표면을 탄탈륨 탄화물의 미세한 층으로 코팅하여 생성됩니다. 장점은 아래 그림에 나와 있습니다.

Excellent properties of TaC coating graphite

탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅은 최대 3880°C의 높은 융점, 우수한 기계적 강도, 경도 및 열 충격에 대한 저항성으로 인해 주목을 받아 더 높은 온도 요구 사항이 있는 화합물 반도체 에피택시 공정에 대한 매력적인 대안이 되었습니다. Aixtron MOCVD 시스템 및 LPE SiC 에피택시 공정과 같은 PVT 방식의 SiC 결정 성장 공정에도 폭넓게 적용됩니다.

주요 특징:

●온도 안정성

●초고순도

●H2, NH3, SiH4, Si에 대한 내성

●열 재고에 대한 저항

●흑연과의 강한 접착력

●컨포멀 코팅 적용 범위

● 직경 최대 750mm(중국 유일의 제조업체가 이 크기에 도달함)

응용:

●웨이퍼 캐리어

● 유도가열 서셉터

● 저항 발열체

●위성 디스크

●샤워 헤드

●가이드 링

●LED 에피 수신기

●분사노즐

●마스킹 링

● 열 차폐

미세한 단면에 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅:

the microscopic cross-section of Tantalum carbide (TaC) coating

VeTek Semiconductor 탄탈륨 카바이드 코팅의 매개변수:

TaC 코팅의 물리적 특성
밀도	14.3(g/cm3)
특정 방사율	0.3
열팽창계수	6.3 10^-6/케이
경도(홍콩)	2000홍콩
저항	1×10^-5옴*cm
열 안정성	<2500℃
흑연 크기 변화	-10~-20um
코팅 두께	≥20um 일반 값(35um±10um)

TaC 코팅 EDX 데이터：

EDX data of TaC coating

TaC 코팅 결정 구조 데이터:

요소	원자퍼센트
	백금. 1	백금. 2	백금. 3	평균
씨케이	52.10	57.41	52.37	53.96
그들을	47.90	42.59	47.63	46.04

TaC 코팅척 TaC 코팅 유성디스크 TaC 코팅판 TaC 코팅 회전판 TaC 코팅수신기 CVD TaC 코팅 커버 CVD TaC 코팅링 TaC 코팅판

실리콘 카바이드 코팅

VeTek Semiconductor는 초순수 탄화규소 코팅 제품 생산을 전문으로 하며, 이러한 코팅은 정제된 흑연, 세라믹 및 내화 금속 부품에 적용되도록 설계되었습니다.

당사의 고순도 코팅은 주로 반도체 및 전자 산업에 사용되는 것을 목표로 합니다. 이는 웨이퍼 캐리어, 서셉터 및 발열체를 위한 보호층 역할을 하며 MOCVD 및 EPI와 같은 공정에서 발생하는 부식성 및 반응성 환경으로부터 이들을 보호합니다. 이러한 프로세스는 웨이퍼 처리 및 장치 제조에 필수적입니다. 또한 당사의 코팅은 고진공, 반응성 및 산소 환경에 직면하는 진공로 및 샘플 가열 분야에 매우 적합합니다.

VeTek Semiconductor에서는 고급 기계 공장 기능을 갖춘 포괄적인 솔루션을 제공합니다. 이를 통해 흑연, 세라믹 또는 내화 금속을 사용하여 기본 구성 요소를 제조하고 SiC 또는 TaC 세라믹 코팅을 사내에서 적용할 수 있습니다. 또한 고객이 제공하는 부품에 대한 코팅 서비스를 제공하여 다양한 요구 사항을 충족할 수 있는 유연성을 보장합니다.

당사의 탄화규소 코팅 제품은 Si 에피택시, SiC 에피택시, MOCVD 시스템, RTP/RTA 공정, 에칭 공정, ICP/PSS 에칭 공정, 청색 및 녹색 LED, UV LED 및 원자외선을 포함한 다양한 LED 유형의 공정에 널리 사용됩니다. LPE, Aixtron, Veeco, Nuflare, TEL, ASM, Annealsys, TSI 등의 장비에 적용되는 LED 등.

우리가 할 수 있는 원자로 부품:

실리콘 카바이드 코팅에는 몇 가지 고유한 장점이 있습니다.

Silicon Carbide Coating several unique advantages

VeTek Semiconductor 실리콘 카바이드 코팅 매개변수:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1

SEM data and structure of CVD SIC films

웨이퍼

웨이퍼 기판반도체 단결정 소재로 만들어진 웨이퍼입니다. 기판은 반도체 장치를 생산하기 위해 웨이퍼 제조 공정에 직접 들어갈 수도 있고, 에피택셜 웨이퍼를 생산하기 위해 에피택셜 공정으로 처리될 수도 있습니다.

웨이퍼 기판은 반도체 소자의 기본 지지구조물로서 소자의 성능과 안정성에 직접적인 영향을 미칩니다. 반도체 소자 제조의 '기반'으로서 기판 위에서는 박막 성장, 리소그래피 등 일련의 제조 공정이 이루어져야 한다.

기판 유형 요약:

●단결정 실리콘 웨이퍼: 현재 집적 회로(IC), 마이크로프로세서, 메모리, MEMS 장치, 전력 장치 등의 제조에 널리 사용되는 가장 일반적인 기판 재료입니다.

●SOI 기판: 고주파 아날로그 및 디지털 회로, RF 장치 및 전원 관리 칩과 같은 고성능, 저전력 집적 회로에 사용됩니다.

●화합물 반도체 기판: 갈륨비소 기판(GaAs) : 마이크로파, 밀리미터파 통신소자 등 질화갈륨 기판(GaN) : RF 전력증폭기, HEMT 등에 사용실리콘 카바이드 기판(SiC): 전기 자동차, 전력 변환기 및 기타 전력 장치에 사용됩니다. 인듐 인화물 기판(InP): 레이저, 광검출기 등에 사용됩니다.

●사파이어 기판: LED 제조, RFIC(무선 주파수 집적 회로) 등에 사용됩니다.

Vetek Semiconductor는 중국의 SiC 기판 및 SOI 기판 전문 공급업체입니다. 우리의4H 반절연형 SiC 기판그리고4H 반절연형 SiC 기판반도체 제조 장비의 핵심 부품에 널리 사용됩니다.

Vetek Semiconductor는 반도체 산업을 위한 다양한 사양의 첨단 맞춤형 웨이퍼 기판 제품과 기술 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리는 진심으로 중국에서 귀하의 공급 업체가되기를 기대합니다.

ALD

Thin film preparation processes can be divided into two categories according to their film forming methods: physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (CVD), of which CVD process equipment accounts for a higher proportion. Atomic layer deposition (ALD) is one of the chemical vapor deposition (CVD).

Atomic layer deposition technology (Atomic Layer Deposition, referred to as ALD) is a vacuum coating process that forms a thin film on the surface of a substrate layer by layer in the form of a single atomic layer. ALD technology is currently being widely adopted by the semiconductor industry.

Atomic layer deposition process:

Atomic layer deposition usually includes a cycle of 4 steps, which is repeated as many times as needed to achieve the required deposition thickness. The following is an example of ALD of Al₂O₃, using precursor substances such as Al(CH₃) (TMA) and O₂.

Step 1) Add TMA precursor vapor to the substrate, TMA will adsorb on the substrate surface and react with it. By selecting appropriate precursor substances and parameters, the reaction will be self-limiting.

Step 2) Remove all residual precursors and reaction products.

Step 3) Low-damage remote plasma irradiation of the surface with reactive oxygen radicals oxidizes the surface and removes surface ligands, a reaction that is also self-limiting due to the limited number of surface ligands.

Step 4) Reaction products are removed from the chamber.

Only step 3 differs between thermal and plasma processes, with H₂O being used in thermal processes and O₂ plasma being used in plasma processes. Since the ALD process deposits (sub)-inch-thick films per cycle, the deposition process can be controlled at the atomic scale.

1st Half-Cycle Purge 2nd Half-Cycle Purge

Highlights of Atomic Layer Deposition (ALD):

1) Grow high-quality thin films with extreme thickness accuracy, and only grow a single atomic layer at a time

2) Wafer thickness can reach 200 mm, with typical uniformity <±2%

3) Excellent step coverage even in high aspect ratio structures

4) Highly fitted coverage

5) Low pinhole and particle levels

6) Low damage and low temperature process

7) Reduce nucleation delay

8) Applicable to a variety of materials and processes

Compared with traditional chemical vapor deposition (CVD) and physical vapor deposition (PVD), the advantages of ALD are excellent three-dimensional conformality, large-area film uniformity, and precise thickness control, etc. It is suitable for growing ultra-thin films on complex surface shapes and high aspect ratio structures. Therefore, it is widely applicable to substrates of different shapes and does not require control of reactant flow uniformity.

Comparison of the advantages and disadvantages of PVD technology, CVD technology and ALD technology:

PVD technology	CVD technology	ALD technology
Faster deposition rate	Average deposition rate	Slower deposition rate
Thicker film thickness, poor control of nano-level film thickness precision	Medium film thickness (depends on the number of reaction cycles)	Atomic-level film thickness
The coating has a single directionality	The coating has a single directionality	Good uniformity of large-area film thickness
Poor thickness uniformity	Average step coverage	Best step coverage
Poor step coverage	\	Dense film without pinholes

Advantages of ALD technology compared to CVD technology (Source: ASM)

Vetek Semiconductor is a professional ALD Susceptor products supplier in China. Our ALD Susceptor, SiC coating ALD susceptor and ALD Planetary Susceptor are widely used in key components of semiconductor manufacturing equipment. Vetek Semiconductor is committed to providing advanced and customizable ALD Susceptor products and technical solutions of various specifications for the semiconductor industry. We sincerely look forward to becoming your supplier in China.