4°오프 축 p형 SiC 웨이퍼

VeTek Semiconductor 4°off axis p-type SiC Wafer는 중국의 전문 반도체 제조사로서 절단 및 절단 시 결정의 주 결정 방향(보통 c축)에서 4° 벗어나는 4H 탄화규소(SiC) 웨이퍼를 말합니다. P형 도핑을 하게 됩니다. 이 제품은 주로 반도체 산업 체인의 전력 전자 장치 및 무선 주파수(RF) 장치 제조에 사용되며 우수한 제품 장점을 가지고 있습니다.

VeTek Semiconductor의 4°off axis p형 SiC 웨이퍼는 Off-axis 절단을 통해 에피택시층 성장 시 발생하는 전위 및 결함을 효과적으로 줄여 웨이퍼의 품질을 향상시킬 수 있습니다. 또한, 4° Off-Axis 방향은 보다 균일하고 결함이 없는 에피택셜 층을 성장시키는 데 도움이 되고, 에피택셜 층의 품질을 향상시키며, 일반적으로 고성능 장치 제조에 적합합니다.

또한 VeTek Semiconductor의 4°오프 ​​축 p형 SiC 웨이퍼 제품은 웨이퍼에 더 많은 홀 캐리어를 갖게 하고 수용체 불순물(알루미늄 또는 붕소 등)을 도핑하여 P형 반도체를 형성할 수 있습니다. P형 4H-SiC 웨이퍼는 P형 레이어가 필요한 전력 장치 제조에 자주 사용됩니다. 이러한 유형의 반도체는 우수한 전기적 특성을 가지고 있습니다.

6H-SiC 등 다른 다형체와 비교하면,4H-SiC전자 이동성과 항복 전계 강도가 더 높으며 고주파 및 고전력 시나리오에 적합합니다. 또한 4H-SiC 소재는 고전압 및 고온 저항이 뛰어나 열악한 환경에서도 정상적으로 작동할 수 있습니다.

2inch 4inch 4°off axis p-type SiC Wafer Size 관련 규격：

6인치 4°오프 ​​축 p형 SiC 웨이퍼 크기 관련 표준：

4°오프 축 p형 SiC 웨이퍼 감지 방법 및 용어：

VeTek Semiconductor는 이미 2~6인치의 4° 축외 p형 4H-SiC 기판을 보유하고 있습니다..기판은 알루미늄으로 도핑되어 파란색으로 나타납니다. 저항률 범위는 0.1~0.7Ω·cm입니다.. 

4° 축외 p형 SiC 웨이퍼에 대한 제품 요구 사항이 있는 경우 당사에 문의해 주십시오.