4H N형 SiC 기판

베텍 반도체4H N형 SiC 기판전기적, 열적, 기계적 특성이 우수하여 고전력, 고주파, 고온, 고신뢰성이 요구되는 반도체 소자 가공에 널리 사용되는 제품입니다.

4H N형 SiC의 항복 전계 강도는 2.2~3.0MV/cm만큼 높습니다. 이 제품 기능을 통해 더 작은 장치를 제조하여 더 높은 전압을 처리할 수 있으므로 당사의 4H N형 SiC 기판은 MOSFET, 쇼트키 및 JFET를 제조하는 데 자주 사용됩니다.

4H N형 SiC 웨이퍼의 열전도율은 약 4.9W/cm·K로 열을 효과적으로 발산하고, 열 축적을 줄이며, 장치 수명을 연장하는 데 도움이 되며, 높은 전력 밀도 애플리케이션에 적합합니다.

또한 Vetek Semiconductor 4H N형 SiC 웨이퍼는 최대 600°C의 온도에서도 안정적인 전자 성능을 유지할 수 있으므로 고온 센서 제조에 자주 사용되며 극한 환경에 매우 적합합니다.

n형 탄화규소 기판에 탄화규소 에피층을 성장시킴으로써 탄화규소 호모에피택셜 웨이퍼를 SBD, MOSFET, IGBT 등과 같은 전력소자로 만들어 전기자동차, 철도운송, 고속주행 등에 사용하는 것이 가능합니다. -동력 전달 및 변형 등

Vetek Semiconductor는 고객 요구를 충족하기 위해 더 높은 결정 품질과 가공 품질을 지속적으로 추구하고 있습니다. 현재 6인치와 8인치 제품이 모두 출시됐다. 다음은 6인치 및 8인치 SIC 기판의 기본 제품 매개변수입니다.

6인치 N형 SiC 기판 기본 제품 사양:

8인치 N형 SiC 기판 기본 제품 사양:

4H N형 SiC 기판 검출 방법 및 용어: