CVD TaC 코팅 웨이퍼 캐리어

VeTek Semiconductor는 반도체 제조 공정 중CVD TaC 코팅 웨이퍼 캐리어웨이퍼를 운반하는 데 사용되는 트레이입니다. 본 제품은 CVD(Chemical Vapor Deposition) 공정을 이용하여 제품 표면에 TaC 코팅층을 코팅한 제품입니다.웨이퍼 캐리어 기판. 이 코팅은 웨이퍼 캐리어의 산화 및 부식 저항성을 크게 향상시키는 동시에 처리 중 입자 오염을 줄일 수 있습니다. 반도체 공정에 있어서 중요한 부품입니다.

VeTek 반도체의CVD TaC 코팅 웨이퍼 캐리어기판과탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅.

탄탈륨 카바이드 코팅의 두께는 일반적으로 30미크론 범위이며, TaC는 녹는점이 3,880°C에 달하며 무엇보다도 우수한 내부식성과 내마모성을 제공합니다.

캐리어의 모재는 고순도 흑연 또는탄화규소(SiC), CVD 공정을 통해 표면에 TaC(누프 경도 최대 2000HK) 층을 코팅하여 내식성과 기계적 강도를 향상시켰습니다.

VeTek Semiconductor의 CVD TaC 코팅 웨이퍼 캐리어는 일반적으로웨이퍼 운반 과정에서 다음과 같은 역할을 수행합니다.:

웨이퍼 로딩 및 고정: 탄탈륨 카바이드의 누프 경도는 2000HK까지 높아 반응 챔버에서 웨이퍼의 안정적인 지지를 효과적으로 보장할 수 있습니다. TaC의 우수한 열전도율(열전도도 약 21W/mK)이 결합되어 웨이퍼 표면이 고르게 가열되고 균일한 온도 분포를 유지하여 에피택셜 층의 균일한 성장을 달성하는 데 도움이 됩니다.

입자 오염 감소: CVD TaC 코팅의 매끄러운 표면과 높은 경도는 캐리어와 웨이퍼 사이의 마찰을 줄여 고품질 반도체 소자 제조의 핵심인 파티클 오염 위험을 줄여줍니다.

고온 안정성: 반도체 공정 중 실제 작동 온도는 일반적으로 1,200°C ~ 1,600°C이며, TaC 코팅의 녹는점은 3,880°C에 달합니다. 낮은 열팽창 계수(열팽창 계수는 약 6.3 × 10⁻⁶/°C)와 결합하여 캐리어는 고온 조건에서 기계적 강도와 치수 안정성을 유지할 수 있어 처리 중 웨이퍼 균열이나 응력 변형을 방지할 수 있습니다.

미세한 단면에 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅:

CVD TaC 코팅의 기본물성：