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LPE PE2061S용 SiC 코팅 지원
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LPE PE2061S용 SiC 코팅 지원

VeTek Semiconductor는 중국의 LPE PE2061S 제조업체이자 혁신업체를 위한 선도적인 SiC 코팅 지지대입니다. 우리는 수년 동안 SiC 코팅 재료를 전문으로 해왔습니다. 우리는 LPE 실리콘 에피택시 반응기를 위해 특별히 설계된 LPE PE2061S용 SiC 코팅 지지대를 제공합니다. LPE PE2061S용 SiC 코팅 지지대는 배럴 서셉터의 바닥입니다. 섭씨 1600도의 고온을 견딜 수 있으며 흑연 예비 부품의 제품 수명을 연장할 수 있습니다. 문의를 환영합니다.

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제품 설명

LPE PE2061S에 대한 고품질 SiC 코팅 지원은 중국 제조업체 VeTek Semiconductor에서 제공됩니다. 저렴한 가격으로 고품질의 LPE PE2061S용 SiC 코팅 지지대를 직접 구매하세요.

실리콘 에피택시 장비의 LPE PE2061S용 VeTeK Semiconductor SiC 코팅 지지대는 배럴형 서셉터와 함께 사용되어 에피택셜 성장 공정 중에 에피택셜 웨이퍼(또는 기판)를 지지하고 고정합니다.

바닥 플레이트는 주로 배럴 에피택셜로와 함께 사용되며, 배럴 에피택셜로는 플랫 에피택셜 서셉터보다 더 큰 반응 챔버와 더 높은 생산 효율을 가지고 있습니다.

지지대는 둥근 구멍 디자인으로 주로 반응기 내부의 배기구로 사용됩니다.



LPE PE2061S용 VeTeK Semiconductor SiC 코팅 지지대는 고순도, 균일한 코팅, 고온 안정성, 내식성, 높은 경도, 우수한 열 전도성, 낮은 열팽창 계수 및 화학적 불활성을 갖춘 LPE(액상 에피택시) 반응기 시스템용입니다. .


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 일반적인 값
결정 구조 FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도 3.21g/cm³
경도 비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기 2~10μm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J·kg-1·K-1
승화 온도 2700℃
굴곡강도 415MPa RT 4점
영률 430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성 300W·m-1·K-1
열팽창(CTE) 4.5×10-6K-1


VeTek 반도체 생산공장


반도체 칩 에피택시 산업 체인 개요:


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