LPE PE2061S용 SiC 코팅 상판

VeTek Semiconductor는 중국의 LPE PE2061S 제조업체이자 혁신업체를 위한 선도적인 SiC 코팅 상단 플레이트입니다. 우리는 수년 동안 SiC 코팅 재료를 전문으로 해왔습니다. 우리는 LPE 실리콘 에피택시 반응기를 위해 특별히 설계된 LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트를 제공합니다. LPE PE2061S용 SiC 코팅 탑 플레이트는 배럴 서셉터와 함께 탑 플레이트입니다. 이 CVD SiC 코팅 플레이트는 고순도, 우수한 열 안정성 및 균일성을 자랑하므로 고품질 에피층 성장에 적합합니다. 저희 공장 방문을 환영합니다. 중국에서.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 LPE PE2061S용 전문 중국 SiC 코팅 상판 제조업체 및 공급업체입니다.

실리콘 에피택셜 장비의 LPE PE2061S용 VeTeK Semiconductor SiC 코팅 상단 플레이트는 에피택셜 성장 공정 중에 에피택셜 웨이퍼(또는 기판)를 지지하고 고정하기 위해 배럴형 본체 서셉터와 함께 사용됩니다.

LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트는 일반적으로 고온에 안정적인 흑연 소재로 만들어집니다. VeTek Semiconductor는 가장 적합한 흑연 재료를 선택할 때 열팽창 계수와 같은 요소를 신중하게 고려하여 탄화 규소 코팅과의 강력한 결합을 보장합니다.

LPE PE2061S용 SiC 코팅 상단 플레이트는 탁월한 열 안정성과 내화학성을 나타내어 에피택시 성장 중 고온 및 부식성 환경을 견딜 수 있습니다. 이는 웨이퍼의 장기적인 안정성, 신뢰성 및 보호를 보장합니다.

실리콘 에피텍셜 장비에서 전체 CVD SiC 코팅 반응기의 주요 기능은 웨이퍼를 지지하고 에피택셜 층 성장을 위한 균일한 기판 표면을 제공하는 것입니다. 또한 웨이퍼의 위치와 방향을 조정할 수 있어 성장 프로세스 중 온도 및 유체 역학에 대한 제어가 용이해 원하는 성장 조건과 에피택셜 레이어 특성을 달성할 수 있습니다.

VeTek Semiconductor의 제품은 높은 정밀도와 균일한 코팅 두께를 제공합니다. 완충층을 내장하면 제품 수명도 연장됩니다. 실리콘 에피택셜 장비에서는 에피택셜 성장 공정 중에 에피택셜 웨이퍼(또는 기판)를 지지하고 고정하기 위해 배럴형 본체 서셉터와 함께 사용됩니다.

SEM data and structure of CVD SIC films

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1