LPE SI EPI 수용체 세트

VeTek Semiconductor는 중국의 선도적인 LPE Si Epi 서셉터 세트 제조업체이자 혁신업체입니다. 우리는 수년 동안 SiC 코팅 및 TaC 코팅을 전문으로 해왔습니다. 우리는 LPE PE2061S 4'' 웨이퍼용으로 특별히 설계된 LPE Si Epi 서셉터 세트를 제공합니다. 흑연 소재와 SiC 코팅의 매칭 정도가 좋고 균일성이 우수하며 수명이 길어 LPE(액상 에피택시) 공정 중 에피택시층 성장 수율을 향상시킬 수 있습니다. 중국.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 전문 중국 LPE Si EPI 서셉터 세트 제조업체 및 공급업체입니다.

좋은 품질과 경쟁력 있는 가격으로 우리 공장을 방문하고 우리와 장기적인 협력을 구축하는 것을 환영합니다.

VeTeK Semiconductor LPE Si Epi Susceptor Set는 고순도 등방성 흑연 표면에 탄화규소의 미세한 층을 적용하여 만든 고성능 제품입니다. 이는 VeTeK Semiconductor의 독점 화학 기상 증착(CVD) 공정을 통해 달성됩니다.

VeTek Semiconductor의 LPE Si Epi 서셉터 세트는 까다로운 조건에서도 안정적으로 작동하도록 설계된 CVD 에피택셜 증착 배럴 반응기입니다. 탁월한 코팅 접착력, 고온 산화 및 부식에 대한 저항성은 열악한 환경에 이상적인 선택입니다. 또한 균일한 열 프로파일과 층류 가스 흐름 패턴은 오염을 방지하여 고품질 에피택셜 레이어의 성장을 보장합니다.

당사의 반도체 에피택셜 반응기의 배럴 모양 설계는 가스 흐름을 최적화하여 열이 고르게 분산되도록 합니다. 이 기능은 오염과 불순물의 확산을 효과적으로 방지하여 웨이퍼 기판에 고품질 에피택셜 레이어를 생산할 수 있도록 보장합니다.

VeTek Semiconductor는 고객에게 고품질의 비용 효율적인 제품을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 당사의 LPE Si Epi 서셉터 세트는 흑연 기판과 탄화규소 코팅 모두에 대해 우수한 밀도를 유지하면서 경쟁력 있는 가격을 제공합니다. 이 조합은 고온 및 부식성 작업 환경에서 안정적인 보호를 보장합니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1