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SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이
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SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이

SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이는 단결정 실리콘 에피택셜 성장로의 중요한 액세서리로 오염을 최소화하고 안정적인 에피택셜 성장 환경을 보장합니다. VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이는 매우 긴 서비스 수명을 가지며 다양한 맞춤 옵션을 제공합니다. VeTek Semiconductor는 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 기대하고 있습니다.

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제품 설명

VeTek 반도체의 SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이는 단결정 실리콘 에피택셜 성장을 위해 특별히 설계되었으며 단결정 실리콘 에피택시 및 관련 반도체 장치의 산업적 응용에 중요한 역할을 합니다.SiC 코팅트레이의 내열성과 내식성을 크게 향상시킬 뿐만 아니라 극한 환경에서도 장기적인 안정성과 탁월한 성능을 보장합니다.


SiC 코팅의 장점


SiC coating Monocrystalline silicon epitaxial tray working diagram

●  높은 열전도율: SiC 코팅으로 트레이의 열관리 능력이 대폭 향상되었으며, 고출력 기기에서 발생하는 열을 효과적으로 분산시킬 수 있습니다.


●  내식성: SiC 코팅은 고온 및 부식성 환경에서 우수한 성능을 발휘하여 장기적인 사용 수명과 신뢰성을 보장합니다.


●  표면 균일성: 평평하고 매끄러운 표면을 제공하여 표면 요철로 인한 제조 오류를 효과적으로 방지하고 에피택셜 성장의 안정성을 보장합니다.


연구에 따르면 흑연 기판의 기공 크기가 100~500 nm 사이인 경우 흑연 기판에 SiC 그라데이션 코팅을 제조할 수 있으며 SiC 코팅은 더 강한 항산화 능력을 갖습니다. 이 흑연(삼각형 곡선)에 있는 SiC 코팅의 내산화성은 다른 사양의 흑연보다 훨씬 강하며, 단결정 실리콘 에피택시의 성장에 적합합니다. VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택셜 트레이는 SGL 흑연을 재료로 사용합니다.흑연 기판, 이러한 성능을 달성할 수 있습니다.


VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 단결정 실리콘 에피택시 트레이는 최고의 재료와 가장 진보된 처리 기술을 사용합니다. 가장 중요한 것은 고객이 어떤 제품 맞춤화 요구를 갖고 있는지에 관계없이 우리는 이를 충족시키기 위해 최선을 다할 수 있다는 것입니다.


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산
일반적인 값
결정 구조
FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도
3.21g/cm³
경도
비커스 경도 2500(500g 하중)
곡물시ze
2~10μm
화학적 순도
99.99995%
열용량
640J·kg-1·케이-1
승화 온도 2700℃
굴곡강도
415MPa RT 4점
영률
430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율
300W·m-1·케이-1
열팽창(CTE)
4.5×10-6K-1

VeTek 반도체 생산 공장


Graphite epitaxial substrateSemiconductor heating furnace equipmentGraphite ring assemblySemiconductor process equipment

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