SiC 코팅 에피 수용체

VeTek Semiconductor는 실리콘 카바이드 및 탄탈륨 카바이드 코팅 분야 국내 최고 제조업체로서 SiC Coated Epi Susceptor의 정밀 가공과 균일한 코팅을 제공하여 코팅 순도와 제품 순도를 5ppm 이하로 효과적으로 제어할 수 있습니다. 제품 수명은 SGL과 비슷합니다. 문의를 환영합니다.

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제품 설명

당사 공장에서 SiC 코팅 에피 서셉터를 구입하시면 안심하실 수 있습니다.

VeTek Semiconductor SiC 코팅 에피 서셉터는 에피택셜 배럴이며 많은 장점을 지닌 반도체 에피택셜 성장 공정을 위한 특수 도구입니다.

효율적인 생산 능력: SiC 코팅 에피 서셉터는 여러 웨이퍼를 수용할 수 있어 여러 웨이퍼의 에피택셜 성장을 동시에 수행할 수 있습니다. 이러한 효율적인 생산 능력은 생산 효율성을 크게 향상시키고 생산주기와 비용을 줄일 수 있습니다.

최적화된 온도 제어: SiC 코팅 에피 서셉터에는 원하는 성장 온도를 정밀하게 제어하고 유지하기 위한 고급 온도 제어 시스템이 장착되어 있습니다. 안정적인 온도 제어는 균일한 에피택셜 층 성장을 달성하고 에피택셜 층의 품질과 일관성을 향상시키는 데 도움이 됩니다.

균일한 대기 분포: SiC 코팅 에피 서셉터는 성장 중에 균일한 대기 분포를 제공하여 각 웨이퍼가 동일한 대기 조건에 노출되도록 보장합니다. 이는 웨이퍼 간의 성장 차이를 방지하고 에피택셜 층의 균일성을 향상시키는 데 도움이 됩니다.

효과적인 불순물 제어: SiC 코팅 에피 서셉터 설계는 불순물의 유입과 확산을 줄이는 데 도움이 됩니다. 이는 우수한 밀봉 및 대기 제어를 제공하고 불순물이 에피택셜 층의 품질에 미치는 영향을 줄여 장치 성능과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.

유연한 공정 개발: SiC 코팅 에피 서셉터는 성장 매개변수를 신속하게 조정하고 최적화할 수 있는 유연한 공정 개발 기능을 갖추고 있습니다. 이를 통해 연구원과 엔지니어는 다양한 응용 분야 및 요구 사항의 에피택시 성장 요구 사항을 충족하기 위해 신속한 프로세스 개발 및 최적화를 수행할 수 있습니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1