CVD SiC 팬케이크 서셉터

우수한 물리적 특성

VeTek 반도체 CVD SiC 팬케이크 서셉터는 최신 화학 기상 증착(CVD) 기술을 사용하여 제조되어 뛰어난 내구성과 극한의 온도 적응성을 보장합니다. 주요 물리적 특성은 다음과 같습니다.

● 열 안정성: CVD SiC의 높은 열 안정성으로 고온 조건에서도 안정적인 성능을 보장합니다.

● 낮은 열팽창 계수: 열팽창계수가 극히 낮은 소재로 온도변화에 따른 뒤틀림, 변형을 최소화한 소재입니다.

● 화학적 내식성: 내약품성이 우수하여 다양한 가혹한 환경에서도 높은 성능을 유지할 수 있습니다.

정확한 지지력과 최적화된 열 전달

VeTekSemi의 팬케이크 서셉터 기반 SiC 코팅은 반도체 웨이퍼를 수용하고 에피택셜 증착 중에 탁월한 지지력을 제공하도록 설계되었습니다. SiC 팬케이크 서셉터는 다양한 온도 및 압력 조건에서 뒤틀림과 변형을 최소화하기 위해 고급 컴퓨터 시뮬레이션 기술을 사용하여 설계되었습니다. 일반적인 열팽창 계수는 약 4.0 × 10^입니다.^-6/°C는 치수 안정성이 고온 환경에서 기존 재료보다 훨씬 우수하여 웨이퍼 두께(일반적으로 200mm ~ 300mm)의 일관성을 보장한다는 것을 의미합니다.

또한 CVD 팬케이크 서셉터는 최대 120W/m·K의 열전도율로 열 전달 성능이 뛰어납니다. 이러한 높은 열전도율은 열을 빠르고 효과적으로 전도할 수 있고, Furnace 내 온도 균일성을 향상시키며, 에피택시 증착 시 균일한 열 분포를 보장하고, 불균일한 열로 인한 증착 결함을 줄일 수 있습니다. 최적화된 열 전달 성능은 증착 품질을 개선하는 데 매우 중요하며, 이를 통해 공정 변동을 효과적으로 줄이고 수율을 향상시킬 수 있습니다.

이러한 설계 및 성능 최적화를 통해 VeTek Semiconductor의 CVD SiC 팬케이크 서셉터는 반도체 제조를 위한 견고한 기반을 제공하여 가혹한 처리 조건에서 신뢰성과 일관성을 보장하고 높은 정밀도와 품질에 대한 현대 반도체 산업의 엄격한 요구 사항을 충족합니다.

CVD SIC 필름 결정 구조

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg-1·케이-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m-1·케이-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1