LPE 하프문 SiC EPI 반응기

VeTek Semiconductor는 중국의 전문 LPE Halfmoon SiC EPI 반응기 제품 제조업체이자 혁신가이자 리더입니다. LPE Halfmoon SiC EPI Reactor는 주로 반도체 산업에 사용되는 고품질 탄화규소(SiC) 에피층을 생산하기 위해 특별히 설계된 장치입니다. VeTek Semiconductor는 반도체 산업을 위한 선도적인 기술 및 제품 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있으며 귀하의 추가 문의를 환영합니다.

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제품 설명

LPE 하프문 SiC EPI 반응기고품질의 제품을 생산하기 위해 특별히 설계된 장치입니다.실리콘 카바이드(SiC) 에피택셜기판이 고온 및 부식성 가스와 같은 극한 조건에 노출되는 LPE 반달 반응 챔버에서 에피택셜 공정이 발생하는 층입니다. 반응 챔버 구성 요소의 수명과 성능을 보장하기 위해 화학 기상 증착(CVD)SiC 코팅일반적으로 사용됩니다. 그 설계와 기능을 통해 극한 조건에서도 SiC 결정의 안정적인 에피택시 성장을 제공할 수 있습니다.

LPE 하프문 SiC EPI 반응기구성요소:

주요 반응실: 주반응실은 탄화규소(SiC) 등 내열성 소재로 제작되었으며,석묵, 화학적 내식성과 고온 저항이 매우 높습니다. 작동 온도는 일반적으로 1,400°C에서 1,600°C 사이이며, 이는 고온 조건에서 탄화규소 결정의 성장을 지원할 수 있습니다. 주 반응실의 작동 압력은 10°C 사이입니다.^-3그리고 10^-1mbar, 에피택셜 성장의 균일성은 압력을 조정하여 제어할 수 있습니다.

가열 부품: 일반적으로 흑연이나 탄화규소(SiC) 히터를 사용하며, 고온 조건에서도 안정적인 열원을 제공할 수 있습니다.

LPE 하프문 SiC EPI 반응기의 주요 기능은 고품질 탄화규소 필름을 에피택셜 성장시키는 것입니다. 구체적으로,그것은 다음과 같은 측면에서 나타난다:

에피택시층 성장: 액상 에피택시 공정을 통해 SiC 기판 위에 결함이 매우 적은 에피택시층을 약 1~10μm/h의 성장 속도로 성장시켜 매우 높은 결정 품질을 보장할 수 있습니다. 동시에, 주 반응 챔버의 가스 유량은 일반적으로 에피택셜 층의 균일성을 보장하기 위해 10-100 sccm(분당 표준 입방 센티미터)으로 제어됩니다.

고온 안정성: SiC 에피층은 고온, 고압, 고주파 환경에서도 우수한 성능을 유지할 수 있습니다.

결함 밀도 감소: LPE Halfmoon SiC EPI Reactor의 독특한 구조 설계는 에피택시 공정 중 결정 결함 발생을 효과적으로 줄여 소자 성능과 신뢰성을 향상시킬 수 있습니다.

VeTek Semiconductor는 반도체 산업을 위한 첨단 기술과 제품 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 동시에 맞춤형 제품 서비스를 지원합니다.우리는 진심으로 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 바랍니다..

CVD SIC 필름 결정 구조의 SEM 데이터:

SEM DATA OF CVD SIC FILM CRYSTAL STRUCTURE

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성：

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg^-1·케이^-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m^-1·케이^-1
열팽창(CTE)	4.5×10^-6K^-1