울트라 퓨어 그래파이트 하부 하프문

VeTek Semiconductor는 중국에서 맞춤형 초순수 흑연 하부 하프문(Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon)을 공급하는 선도적인 공급업체로 수년간 첨단 소재를 전문으로 하고 있습니다. 당사의 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon은 SiC 에피텍셜 장비용으로 특별히 설계되어 탁월한 성능을 보장합니다. 초순수 수입 흑연으로 제작되어 신뢰성과 내구성을 제공합니다. 중국 공장을 방문하여 당사의 고품질 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon을 직접 살펴보세요.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon 공급에 전념하는 전문 제조업체입니다. 당사 제품 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon은 SiC 에피택시 챔버용으로 특별히 설계되었으며 다양한 장비 모델과의 뛰어난 성능 및 호환성을 제공합니다.

특징:

연결: VeTek Semiconductor Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon은 석영 튜브와 연결하여 가스 흐름을 촉진하여 캐리어 베이스의 회전을 구동하도록 설계되었습니다.

온도 제어: 이 제품은 온도 제어가 가능하여 반응 챔버 내 최적의 조건을 보장합니다.

비접촉 설계: 반응 챔버 내부에 설치된 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon은 웨이퍼와 직접 접촉하지 않아 공정의 무결성을 보장합니다.

응용 시나리오:

당사의 초순수 흑연 하부 하프문은 SiC 에피택셜 챔버에서 중요한 구성 요소 역할을 하며 불순물 함량을 5ppm 미만으로 유지하는 데 도움이 됩니다. 두께, 도핑 농도 균일성과 같은 매개변수를 면밀히 모니터링함으로써 최고 품질의 에피택셜 레이어를 보장합니다.

호환성:

VeTek Semiconductor의 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon은 LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH 등을 포함한 광범위한 장비 모델과 호환됩니다.

당사의 고품질 Ultra Pure Graphite Lower Halfmoon을 직접 살펴보실 수 있도록 중국 공장을 방문해 보시기 바랍니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1