상부 반달 부분 SiC 코팅

VeTek Semiconductor는 중국에서 코팅된 맞춤형 Upper Halfmoon 부품 SiC를 공급하는 선도적인 공급업체로, 20년 넘게 첨단 소재를 전문으로 다루고 있습니다. VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC 코팅은 SiC 에피텍셜 장비용으로 특별히 설계되었으며 반응 챔버에서 중요한 구성 요소 역할을 합니다. 초순수 반도체 등급 흑연으로 제작되어 탁월한 성능을 보장합니다. 우리 중국 공장을 방문해 보시기 바랍니다.

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제품 설명

전문 제조업체로서 우리는 고품질의 Upper Halfmoon Part SiC 코팅 제품을 제공하고자 합니다.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC 코팅은 SiC 에피택셜 챔버용으로 특별히 설계되었습니다. 적용 범위가 넓으며 다양한 장비 모델과 호환됩니다.

응용 시나리오:

VeTek Semiconductor는 SiC 코팅된 고품질 상부 하프문 부품 제조를 전문으로 합니다. 당사의 SiC 및 TaC 코팅 제품은 SiC 에피택시 챔버용으로 특별히 설계되었으며 다양한 장비 모델과 폭넓은 호환성을 제공합니다.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC 코팅은 SiC 에피택셜 챔버의 구성 요소 역할을 합니다. 이는 제어된 온도 조건과 웨이퍼와의 간접적인 접촉을 보장하여 불순물 함량을 5ppm 미만으로 유지합니다.

최적의 에피택시층 품질을 보장하기 위해 우리는 두께, 도핑 농도 균일성과 같은 중요한 매개변수를 주의 깊게 모니터링합니다. 우리의 평가에는 최고의 제품 품질을 달성하기 위해 필름 두께, 캐리어 농도, 균일성 및 표면 거칠기 데이터 분석이 포함됩니다.

VeTek Semiconductor Upper Halfmoon Part SiC 코팅은 LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH 등을 포함한 다양한 장비 모델과 호환됩니다.

지금 저희에게 연락하여 코팅된 고품질 Upper Halfmoon 부품 SiC를 살펴보거나 공장 방문을 예약하세요.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1