실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어

VeTek Semiconductor는 중국의 선도적인 맞춤형 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어 공급업체입니다. 우리는 20년 이상 첨단 소재 전문 기업입니다. 우리는 SiC 기판 운반, SiC 에피택시 반응기에서 SiC 에피택시 층 성장을 위한 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어를 제공합니다. 이 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어는 반달 부분의 중요한 SiC 코팅 부분, 고온 저항, 내산화성, 내마모성입니다. 중국 공장 방문을 환영합니다.

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제품 설명

전문 제조업체로서 우리는 고품질의 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어를 제공하고 싶습니다.

VeTek Semiconductor 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어는 SiC 에피택시 챔버용으로 특별히 설계되었습니다. 적용 범위가 넓으며 다양한 장비 모델과 호환됩니다.

응용 시나리오:

VeTek Semiconductor 실리콘 카바이드 에피택시 웨이퍼 캐리어는 주로 SiC 에피택셜 층의 성장 공정에 사용됩니다. 이러한 액세서리는 SiC 에피택시 반응기 내부에 배치되어 SiC 기판과 직접 접촉합니다. 에피택셜 층의 중요한 매개변수는 두께와 도핑 농도 균일성입니다. 따라서 필름 두께, 캐리어 농도, 균일성, 표면 거칠기 등의 데이터를 관찰하여 액세서리의 성능과 호환성을 평가합니다.

용법:

장비와 공정에 따라 당사 제품은 6인치 반달 구성에서 최소 5000um의 에피택셜 층 두께를 달성할 수 있습니다. 이 값은 참고용이므로 실제 결과는 다를 수 있습니다.

호환 장비 모델:

VeTek Semiconductor 탄화규소 코팅 흑연 부품은 LPE, NAURA, JSG, CETC, NASO TECH 등을 포함한 다양한 장비 모델과 호환됩니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1