CVD SiC 코팅 노즐

VeTek Semiconductor는 CVD SiC 코팅 반달 부품 및 액세서리 CVD SiC 코팅 노즐과 같은 에피택셜 장치용 CVD SiC 코팅 액세서리 전문 제조업체입니다. 문의를 환영합니다.

PE1O8은 최대 200mm의 SiC 웨이퍼를 처리하도록 설계된 완전 자동 카트리지-카트리지 시스템입니다. 형식을 150mm에서 200mm 사이로 전환할 수 있어 공구 가동 중단 시간이 최소화됩니다. 가열 단계를 줄이면 생산성이 향상되고, 자동화는 노동력을 줄이고 품질과 반복성을 향상시킵니다. 효율적이고 비용 경쟁력 있는 에피택시 공정을 보장하기 위해 1) 빠른 공정, 2) 두께 및 도핑의 높은 균일성, 3) 에피택시 공정 중 결함 형성 최소화의 세 가지 주요 요소가 보고되었습니다. PE1O8에서는 작은 흑연 덩어리와 자동 로드/언로드 시스템을 통해 표준 실행을 75분 이내에 완료할 수 있습니다(표준 10μm 쇼트키 다이오드 공식은 30μm/h 성장 속도를 사용함). 자동 시스템으로 고온에서도 적재/하역이 가능합니다. 그 결과 가열 및 냉각 시간이 짧아지고 베이킹 단계가 억제됩니다. 이 이상적인 조건은 실제 도핑되지 않은 재료의 성장을 가능하게 합니다.

탄화규소 에피택시 공정에서 CVD SiC 코팅 노즐은 에피택셜 층의 성장과 품질에 중요한 역할을 합니다. 탄화규소 에피택시에서 노즐의 역할에 대한 확장된 설명은 다음과 같습니다.

가스 공급 및 제어: 노즐은 실리콘 소스 가스와 탄소 소스 가스를 포함하여 에피택시 동안 필요한 가스 혼합물을 전달하는 데 사용됩니다. 노즐을 통해 가스 흐름과 비율을 정밀하게 제어하여 에피택셜 층의 균일한 성장과 원하는 화학 조성을 보장할 수 있습니다.

온도 제어: 노즐은 에피택시 반응기 내의 온도를 제어하는 ​​데도 도움이 됩니다. 탄화규소 에피택시에서 온도는 성장 속도와 결정 품질에 영향을 미치는 중요한 요소입니다. 노즐을 통해 열이나 냉각 가스를 제공함으로써 에피택셜 층의 성장 온도를 최적의 성장 조건에 맞게 조정할 수 있습니다.

가스 흐름 분포: 노즐 설계는 반응기 내 가스의 균일한 분포에 영향을 미칩니다. 균일한 가스 흐름 분포는 에피택셜 층의 균일성과 일관된 두께를 보장하여 재료 품질의 불균일성과 관련된 문제를 방지합니다.

불순물 오염 방지: 노즐의 적절한 설계와 사용은 에피택시 공정 중 불순물 오염을 방지하는 데 도움이 될 수 있습니다. 적절한 노즐 설계는 외부 불순물이 반응기로 유입될 가능성을 최소화하여 에피택셜 층의 순도와 품질을 보장합니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

생산 상점:

반도체 칩 에피택시 산업 체인 개요: