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중국 SiC 단결정 성장 공정 예비 부품 제조업체, 공급업체, 공장

VeTek Semiconductor의 제품인 SiC 단결정 성장 공정용 탄탈륨(TaC) 코팅 제품은 탄화규소(SiC) 결정의 성장 인터페이스와 관련된 문제, 특히 결정 가장자리에서 발생하는 포괄적인 결함을 해결합니다. TaC 코팅을 적용하여 결정 성장 품질을 향상시키고 빠르고 두꺼운 성장을 달성하는 데 중요한 결정 중심의 유효 면적을 늘리는 것을 목표로 합니다.

TaC 코팅은 고품질 SiC 단결정 성장 공정 성장을 위한 핵심 기술 솔루션입니다. 화학기상증착법(CVD)을 이용한 TaC 코팅 기술 개발에 성공하여 국제적으로 높은 수준에 이르렀습니다. TaC는 최대 3880°C의 높은 융점, 우수한 기계적 강도, 경도 및 열충격 저항성을 포함한 탁월한 특성을 가지고 있습니다. 또한 암모니아, 수소, 규소 함유 증기와 같은 물질과 고온에 노출될 때 우수한 화학적 불활성 및 열 안정성을 나타냅니다.

VeTek Semiconductor의 탄탈륨 카바이드(TaC) 코팅은 SiC 단결정 성장 공정의 가장자리 관련 문제를 해결하여 성장 공정의 품질과 효율성을 향상시키는 솔루션을 제공합니다. 앞선 TaC 코팅 기술을 바탕으로 3세대 반도체 산업 발전을 지원하고, 핵심 소재 수입 의존도를 낮추는 것을 목표로 하고 있습니다.


PVT 방식 SiC 단결정 성장 공정 예비 부품:

TaC 코팅 도가니, TaC 코팅 시드 홀더, TaC 코팅 가이드 링은 PVT 방식의 SiC 및 AIN 단결정로에서 중요한 부품입니다.


주요 특징:

-고온 저항

- 순도가 높아 SiC 원료 및 SiC 단결정을 오염시키지 않습니다.

-Al 증기 및 N2 부식에 강함

-결정 준비 주기를 단축하기 위한 높은 공융 온도(AlN 포함).

- 재활용이 가능하며(최대 200시간) 단결정 제조의 지속 가능성과 효율성을 향상시킵니다.


TaC 코팅 특성


Tac 코팅의 일반적인 물리적 특성

TaC 코팅의 물리적 특성
밀도 14.3(g/cm3)
특정 방사율 0.3
열팽창계수 6.3 10-6/K
경도(홍콩) 2000홍콩
저항 1×10-5Ω*cm
열 안정성 <2500℃
흑연 크기 변화 -10~-20um
코팅 두께 ≥20um 일반 값(35um±10um)


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TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어

VeTek Semiconductor는 중국의 선도적인 TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어 제조업체이자 혁신업체입니다. 우리는 수년 동안 SiC 및 TaC 코팅을 전문으로 해왔습니다. 당사의 TaC 코팅 흑연 웨이퍼 캐리어는 더 높은 내열성과 내마모성을 갖추고 있습니다. 우리는 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 기대하고 있습니다.

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