단결정 로의 열장의 온도 구배는 무엇입니까?

무엇입니까?열장?

온도 분야단결정 성장열장이라고도 알려진 단결정 용광로의 온도 공간 분포를 나타냅니다. 하소 중에 열 시스템의 온도 분포는 상대적으로 안정적이며 이를 정적 열장이라고 합니다. 단결정이 성장하는 동안 열장이 변화하는데, 이를 동적 열장이라고 합니다.

단결정이 성장할 때, 지속적인 상의 변태(액상에서 고상으로)로 인해 고상 잠열이 지속적으로 방출됩니다. 동시에 결정은 점점 길어지고 용융 수준은 지속적으로 떨어지며 열전도와 복사는 변화합니다. 따라서 열장이 변화하고 있는데 이를 동적 열장이라고 합니다.

고체-액체 인터페이스란 무엇입니까?

특정 순간에 용광로의 모든 지점은 특정 온도를 갖습니다. 온도장에서 온도가 동일한 공간의 점들을 연결하면 공간 표면을 얻을 수 있습니다. 이 공간 표면에서는 온도가 모든 곳에서 동일하며 이를 등온 표면이라고 합니다. 단결정로의 등온면 중에는 매우 특별한 등온면이 있는데, 이는 고상과 액상의 계면이므로 고액계면이라고도 한다. 결정은 고체-액체 경계면에서 성장합니다.

온도 구배란 무엇입니까?

온도 구배란 열장 내 A 지점의 온도가 인근 지점 B의 온도로 변화하는 비율을 의미합니다. 즉, 단위 거리 내 온도 변화율을 의미합니다.

언제단결정 실리콘성장하면 열장에는 두 가지 형태의 고체와 용융물이 있으며, 두 가지 유형의 온도 구배도 있습니다.

▪ 결정의 종방향 온도 구배와 반경방향 온도 구배.

▪ 용융물의 종방향 온도 구배와 반경방향 온도 구배.

▪ 이는 완전히 다른 두 가지 온도 분포이지만 결정화 상태에 가장 큰 영향을 미칠 수 있는 고체-액체 경계면의 온도 구배입니다. 결정의 방사형 온도 구배는 결정의 세로 및 가로 열 전도, 표면 복사 및 열장의 새로운 위치에 의해 결정됩니다. 일반적으로 결정의 중심 온도는 높고, 가장자리 온도는 낮습니다. 용융물의 방사형 온도 구배는 주로 주변 히터에 의해 결정되므로 중심 온도는 낮고 도가니 근처의 온도는 높으며 방사형 온도 구배는 항상 양수입니다.

열장의 합리적인 온도 분포는 다음 조건을 충족해야 합니다.

▪ 결정의 종방향 온도 구배는 충분히 크지만 너무 크지는 않아, 동안 충분한 열 방출 용량이 보장됩니다.결정 성장결정화의 잠열을 빼앗아가는 것.

▪ 용융물의 종방향 온도 구배는 상대적으로 커서 용융물에서 새로운 결정핵이 생성되지 않습니다. 그러나 너무 크면 탈구 및 파손이 발생하기 쉽습니다.

▪ 결정화 경계면의 종방향 온도 구배가 적절하게 커서 필요한 과냉각이 형성되어 단결정이 충분한 성장 모멘텀을 갖게 됩니다. 너무 커서는 안 됩니다. 그렇지 않으면 구조적 결함이 발생하고, 방사상 온도 구배는 결정화 인터페이스를 평평하게 만들기 위해 가능한 한 작아야 합니다.

VeTek Semiconductor는 중국 전문 제조업체입니다.SiC 결정 성장 다공성 흑연, 단결정 당김 도가니, 실리콘 단결정 지그 당기기, 단결정 실리콘용 도가니, 결정 성장용 탄탈륨 카바이드 코팅 튜브.  VeTek Semiconductor는 반도체 산업을 위한 다양한 SiC 웨이퍼 제품에 대한 고급 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다.

위의 제품에 관심이 있으시면 언제든지 저희에게 직접 연락해 주십시오.  

몹: +86-180 6922 0752

왓츠앱: +86 180 6922 0752

이메일: anny@veteksemi.com