CVD TaC 코팅 캐리어

VeTek Semiconductor의 CVD TaC 코팅 캐리어는 주로 반도체 제조의 에피택셜 공정용으로 설계되었습니다. CVD TaC 코팅 캐리어의 초고융점, 뛰어난 내식성, 뛰어난 열 안정성은 이 제품이 반도체 에피택셜 공정에 꼭 필요한 제품임을 결정합니다. 우리는 귀하와 장기적인 비즈니스 관계를 구축하기를 진심으로 희망합니다.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 중국 CVD TaC 코팅 캐리어 EPITAXY SUSCEPTOR 전문 리더입니다.TaC 코팅 흑연 서셉터제조업체.

지속적인 공정 및 재료 혁신 연구를 통해 Vetek Semiconductor의 CVD TaC 코팅 캐리어는 주로 다음 측면을 포함하여 에피택셜 공정에서 매우 중요한 역할을 합니다.

기판 보호: CVD TaC 코팅 담체는 우수한 화학적 안정성과 열적 안정성을 제공하여 고온 및 부식성 가스의 기판 및 반응기 내벽 침식을 효과적으로 방지하여 공정 환경의 순도와 안정성을 보장합니다.

열 균일성: CVD TaC 코팅 캐리어의 높은 열전도율과 결합하여 반응기 내부 온도 분포의 균일성을 보장하고 에피택시층의 결정 품질 및 두께 균일성을 최적화하며 최종 제품의 성능 일관성을 향상시킵니다.

입자 오염 제어: CVD TaC 코팅 캐리어는 파티클 발생률이 매우 낮기 때문에 표면이 매끄러워 파티클 오염 위험이 크게 줄어들어 에피택셜 성장 시 순도와 수율이 향상됩니다.

장비 수명 연장: CVD TaC 코팅 캐리어의 우수한 내마모성과 내식성이 결합되어 반응 챔버 부품의 수명을 대폭 연장하고 장비 가동 중단 시간 및 유지 관리 비용을 줄이며 생산 효율성을 향상시킵니다.

위의 특성을 결합한 VeTek Semiconductor의 CVD TaC 코팅 캐리어는 에피택셜 성장 공정에서 공정의 신뢰성과 제품의 품질을 향상시킬 뿐만 아니라, 반도체 제조를 위한 비용 효율적인 솔루션을 제공합니다.

미세한 단면에 탄탈륨 카바이드 코팅:

Tantalum carbide coating on a microscopic cross section picture

CVD TaC 코팅 캐리어의 물리적 특성:

TaC 코팅의 물리적 특성
밀도	14.3(g/cm3)
특정 방사율	0.3
열팽창계수	6.3*10^-6/케이
경도(홍콩)	2000홍콩
저항	1×10^-5옴*cm
열 안정성	<2500℃
흑연 크기 변화	-10~-20um
코팅 두께	≥20um 일반 값(35um±10um)