SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터

MOCVD는 반도체, 광전자, 마이크로전자소자 제조에 널리 사용되는 정밀박막성장기술이다. MOCVD 기술을 통해 고품질의 반도체 소재 필름을 기판(예: 실리콘, 사파이어, 실리콘 카바이드 등)에 증착할 수 있습니다.

MOCVD 장비에서 SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터는 고온 반응 챔버 내에서 균일하고 안정적인 가열 환경을 제공하여 기상 화학 반응이 진행되도록 하여 기판 표면에 원하는 박막을 증착시킵니다.

VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터는 SiC 코팅이 적용된 고품질 흑연 재료로 만들어졌습니다. SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터는 저항 가열 원리를 통해 열을 발생시킵니다.

SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터의 핵심은 흑연 기판입니다. 외부 전원을 통해 전류를 인가하고, 흑연의 저항 특성을 이용해 발열해 필요한 고온을 구현한다. 흑연 기판의 열전도율이 우수하여 열을 빠르게 전도하고 히터 표면 전체에 온도를 고르게 전달할 수 있습니다. 동시에 SiC 코팅은 흑연의 열전도율에 영향을 주지 않으므로 히터가 온도 변화에 빠르게 반응하고 균일한 온도 분포를 보장할 수 있습니다.

순수한 흑연은 고온 조건에서 산화되기 쉽습니다. SiC 코팅은 흑연이 산소와 직접 접촉하는 것을 효과적으로 차단하여 산화 반응을 방지하고 히터의 수명을 연장시킵니다. 또한 MOCVD 장비는 화학기상증착을 위해 부식성 가스(암모니아, 수소 등)를 사용한다. SiC 코팅의 화학적 안정성으로 인해 이러한 부식성 가스의 침식을 효과적으로 방지하고 흑연 기판을 보호할 수 있습니다.

고온에서 코팅되지 않은 흑연 재료는 필름의 증착 품질에 영향을 미치는 탄소 입자를 방출할 수 있습니다. SiC 코팅을 적용하면 탄소 입자의 방출을 억제하여 MOCVD 공정을 깨끗한 환경에서 수행할 수 있어 높은 청정도 요건을 요구하는 반도체 제조 요구 사항을 충족합니다.

마지막으로 SiC 코팅 흑연 MOCVD 히터는 일반적으로 기판 표면의 균일한 온도를 보장하기 위해 원형 또는 기타 규칙적인 모양으로 설계됩니다. 온도 균일성은 특히 GaN, InP와 같은 III-V 화합물의 MOCVD 에피택셜 성장 공정에서 후막의 균일한 성장을 위해 매우 중요합니다.

VeTeK Semiconductor는 전문적인 맞춤 서비스를 제공합니다. 업계 최고의 가공 및 SiC 코팅 역량을 통해 대부분의 MOCVD 장비에 적합한 최고 수준의 MOCVD 장비용 히터를 제조할 수 있습니다.

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성

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