반도체 서셉터 블록 SiC 코팅

VeTek Semiconductor의 반도체 서셉터 블록 SiC 코팅은 신뢰성과 내구성이 뛰어난 장치입니다. 안정적인 성능과 긴 수명을 유지하면서 고온과 혹독한 화학적 환경을 견딜 수 있도록 설계되었습니다. 우수한 공정 능력을 갖춘 반도체 서셉터 블록 SiC 코팅은 교체 및 유지 관리 빈도를 줄여 생산 효율성을 향상시킵니다. 우리는 귀하와 협력할 수 있는 기회를 기대하고 있습니다.

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제품 설명

고품질 반도체 서셉터 블록 SiC 코팅은 중국 제조업체인 VeTek Semiconductor에서 제공합니다. 공장에서 직접 고품질의 반도체 서셉터 블록 SiC 코팅을 구입하세요.

VeTek Semiconductor의 반도체 서셉터 블록 SiC 코팅은 VEECO GaN 시스템에 사용하도록 특별히 설계되었으며 MOCVD(금속-유기 화학 기상 증착) 기술을 활용합니다. 이 서셉터 블록은 고순도, 고밀도, 고강도 흑연 소재로 만들어진 핵심 부품입니다. 당사의 독자적인 CVD SiC 코팅으로 코팅되어 우수한 접착력을 보장하고 제품 수명을 연장하며 제조 과정에서 균일한 가열을 보장합니다.

SiC 코팅된 반도체 서셉터 블록의 치밀한 코팅은 내구성과 신뢰성을 향상시키는 동시에 일관되고 균일한 열 분포를 보장합니다. 이는 가공 중 높은 제품 수율에 직접적으로 기여합니다. 고품질 흑연 소재와 첨단 CVD SiC 코팅을 결합하여 우수한 성능과 연장된 수명을 갖춘 제품을 구현했습니다.

SiC 코팅된 반도체 서셉터 블록은 최적의 온도 균일성을 유지하고 제조 공정의 전반적인 효율성을 향상시키는 데 중요한 역할을 합니다. 뛰어난 코팅 특성과 견고한 구조로 안정적인 성능과 수명을 보장합니다. 이 제품을 사용하면 높은 가공 수율과 우수한 제품 품질을 얻을 수 있습니다.

우리는 VEECO GaN 시스템에 대한 귀하의 특정 요구 사항을 충족하는 고성능 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 당사의 반도체 서셉터는 내구성, 균일성 및 신뢰성에 대한 업계 표준을 설정하여 제조 공정의 효율성과 생산성을 보장합니다.

SiC 코팅된 반도체 서셉터 블록의 제품 매개변수

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640 J·kg-1·K-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성	300W·m-1·K-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K-1