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SiC 코팅 콜렉터 탑
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SiC 코팅 콜렉터 탑

신뢰할 수 있는 CVD SiC 코팅 제조업체인 VeTek Semiconductor에 오신 것을 환영합니다. 우리는 고순도 흑연을 사용하여 전문적으로 설계되었으며 불순물이 5ppm 미만인 최첨단 CVD SiC 코팅이 특징인 Aixtron SiC 코팅 컬렉터 탑을 제공하는 것을 자랑스럽게 생각합니다. 질문이나 문의 사항이 있으면 주저하지 말고 저희에게 연락해주세요.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 TaC 코팅 및 SiC 코팅 생산 분야에서 다년간의 경험을 바탕으로 Aixtron 시스템용 SiC 코팅 콜렉터 탑, 콜렉터 센터, 콜렉터 바닥 등 광범위한 제품을 공급할 수 있습니다. 고품질 SiC 코팅 콜렉터 탑은 다양한 애플리케이션을 충족할 수 있습니다. 필요한 경우 SiC 코팅 콜렉터 탑에 대한 적시 온라인 서비스를 받으십시오. 아래 제품 목록 외에도 특정 요구 사항에 따라 고유한 SiC 코팅 컬렉터 탑을 맞춤 설정할 수도 있습니다.

SiC 코팅 콜렉터 상단, SiC 코팅 콜렉터 센터, SiC 코팅 콜렉터 하단은 반도체 제조 공정에 사용되는 세 가지 기본 구성 요소입니다. 각 제품에 대해 별도로 논의해 보겠습니다.

VeTek Semiconductor SiC 코팅 콜렉터 탑은 반도체 증착 공정에서 중요한 역할을 합니다. 이는 증착된 재료의 지지 구조 역할을 하여 증착 중에 균일성과 안정성을 유지하는 데 도움을 줍니다. 또한 열 관리에 도움이 되어 공정 중에 발생하는 열을 효과적으로 방출합니다. 컬렉터 상단은 증착된 물질의 올바른 배열과 분포를 보장하여 고품질의 일관된 필름 성장을 보장합니다.

콜렉터 상단, 콜렉터 센터, 콜렉터 하단의 SiC 코팅은 성능과 내구성을 크게 향상시킵니다. SiC(탄화규소) 코팅은 열전도율, 화학적 불활성, 내식성이 우수한 것으로 알려져 있습니다. 컬렉터 상단, 중앙 및 하단의 SiC 코팅은 탁월한 열 관리 기능을 제공하여 효율적인 열 방출을 보장하고 최적의 공정 온도를 유지합니다. 또한 내화학성이 뛰어나 부식 환경으로부터 부품을 보호하고 수명을 연장합니다. SiC 코팅의 특성은 반도체 제조 공정의 안정성을 향상시키고 결함을 줄이며 필름 품질을 향상시키는 데 도움이 됩니다.


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산 일반적인 값
결정 구조 FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도 3.21g/cm³
경도 비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기 2~10μm
화학적 순도 99.99995%
열용량 640 J·kg-1·K-1
승화 온도 2700℃
굴곡강도 415MPa RT 4점
영률 430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열 전도성 300W·m-1·K-1
열팽창(CTE) 4.5×10-6K-1


산업 체인:


생산공장


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