MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터

VeTek Semiconductor는 중국 MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터의 선도적인 제조업체이자 공급업체로, 반도체 산업용 SiC 코팅 응용 분야 및 에피택셜 반도체 제품을 전문으로 합니다. 당사의 MOCVD SiC 코팅 흑연 서셉터는 유럽과 미국 전역의 시장에 경쟁력 있는 품질과 가격을 제공합니다. 우리는 반도체 제조 발전에 있어 장기적으로 신뢰할 수 있는 파트너가 되기 위해 최선을 다하고 있습니다.

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제품 설명

VeTek Semiconductor의 MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터는 웨이퍼 칩의 에피택셜 층 성장을 위해 특별히 설계된 고순도 SiC 코팅 흑연 캐리어입니다. 일반적으로 기어나 링 모양의 MOCVD 공정의 핵심 구성 요소로 뛰어난 내열성과 내식성을 자랑하여 극한 환경에서도 안정성을 보장합니다.

MOCVD SiC 코팅 흑연 서셉터의 주요 특징:

● 박편 방지 코팅: 모든 표면에 균일한 SiC 코팅 적용을 보장하여 파티클 이탈 위험을 줄입니다.

● 우수한 고온 산화 저항성ce: 최대 1600°C의 온도에서도 안정적으로 유지됩니다.

● 고순도: CVD 화학기상증착법으로 제작되어 고온 염소화 조건에 적합합니다.

● 우수한 내식성: 산, 알칼리, 염분, 유기시약에 대한 저항성이 뛰어납니다.

● 최적화된 층류 기류 패턴: 기류 역학의 균일성을 향상시킵니다.

● 균일한 열 분포: 고온공정시 안정적인 열분배 보장

● 오염 예방: 오염물질이나 불순물의 확산을 방지하여 웨이퍼의 청정도를 보장합니다.

VeTek Semiconductor는 엄격한 품질 표준을 준수하여 고객에게 신뢰할 수 있는 제품과 서비스를 제공합니다. 우리는 업계 성능 요구 사항을 충족하고 초과하기 위해 노력하는 프리미엄 소재만을 선택합니다. MOCVD용 SiC 코팅 흑연 서셉터는 품질에 대한 이러한 약속을 잘 보여줍니다. 귀하의 반도체 웨이퍼 처리 요구 사항을 지원하는 방법에 대해 자세히 알아보려면 당사에 문의하십시오.

CVD SIC 필름 결정 구조:

SEM DATA OF CVD SIC FILM

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg^-1·케이^-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m^-1·케이^-1
열팽창(CTE)	4.5×10^-6K^-1