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SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터
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SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터

VeTek Semiconductor SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터는 반도체 에피택시 공정용으로 설계된 고성능 웨이퍼 트레이로, 탁월한 열 전도성, 고온 및 내화학성, 고순도 표면 및 생산 효율성을 높이기 위한 맞춤형 옵션을 제공합니다. 추가 문의를 환영합니다.

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제품 설명

VeTek Semiconductor SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터는 특히 LPE 반응기의 반도체 에피택시 공정을 위해 특별히 설계된 고급 솔루션입니다. 이 고효율 웨이퍼 트레이는 반도체 재료의 성장을 최적화하도록 설계되어 까다로운 제조 환경에서 탁월한 성능과 신뢰성을 보장합니다. 


Veteksemi의 Graphite Barrel Susceptor 제품은 다음과 같은 뛰어난 장점을 가지고 있습니다.


고온 및 내화학성: 고온 응용 분야의 가혹함을 견디도록 제작된 SiC 코팅 배럴 서셉터는 열 응력 및 화학적 부식에 대한 뛰어난 저항성을 나타냅니다. SiC 코팅은 가혹한 처리 환경에서 발생할 수 있는 산화 및 기타 화학 반응으로부터 흑연 기판을 보호합니다. 이러한 내구성은 제품의 수명을 연장할 뿐만 아니라 교체 빈도를 줄여 운영 비용 절감 및 생산성 향상에 기여합니다.


탁월한 열 전도성: SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터의 뛰어난 특징 중 하나는 탁월한 열 전도성입니다. 이 특성은 웨이퍼 전체에 균일한 온도 분포를 허용하며, 이는 고품질 에피택셜 층을 달성하는 데 필수적입니다. 효율적인 열 전달은 반도체 구조의 결함으로 이어질 수 있는 열 구배를 최소화하여 에피택시 공정의 전반적인 수율과 성능을 향상시킵니다.


고순도 표면: high-puCVD SiC 코팅 배럴 서셉터의 표면 품질은 처리 중인 반도체 재료의 무결성을 유지하는 데 중요합니다. 오염물질은 반도체의 전기적 특성에 부정적인 영향을 미칠 수 있으므로 기판의 순도가 성공적인 에피택시에서 중요한 요소가 됩니다. 세련된 제조 공정을 통해 SiC 코팅 표면은 오염을 최소화하여 더 나은 품질의 결정 성장과 전반적인 장치 성능을 촉진합니다.


반도체 에피택시 공정의 응용

SiC Coated Graphite Barrel Susceptor Working Schematic


SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터의 주요 응용 분야는 고품질 반도체 층의 성장에 중추적인 역할을 하는 LPE 반응기 내에 있습니다. 최적의 열 분배를 촉진하면서 극한 조건에서도 안정성을 유지하는 능력은 첨단 반도체 장치에 중점을 두는 제조업체에게 필수적인 구성 요소입니다. 이 서셉터를 활용하면 기업은 고순도 반도체 소재 생산 성능 향상을 기대할 수 있어 첨단 기술 개발의 기반을 마련할 수 있다.


VeTeksemi는 오랫동안 반도체 산업에 첨단 기술과 제품 솔루션을 제공하기 위해 노력해 왔습니다. VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터는 특정 응용 분야 및 요구 사항에 맞는 맞춤형 옵션을 제공합니다. 치수 수정, 특정 열 특성 강화, 특수 프로세스를 위한 고유한 기능 추가 등 VeTek Semiconductor는 고객 요구 사항을 완벽하게 충족하는 솔루션을 제공하기 위해 최선을 다하고 있습니다. 우리는 중국에서 귀하의 장기적인 파트너가 되기를 진심으로 기대합니다.


CVD SIC 코팅막 결정구조

CVD SIC COATING FILM CRYSTAL STRUCTURE


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성


CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산
일반적인 값
결정 구조
FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
코팅밀도
3.21g/cm³
SiC 코팅 경도
비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기
2~10μm
화학적 순도
99.99995%
열용량
640J·kg-1·케이-1
승화 온도
2700℃
굴곡강도
415MPa RT 4점
영률
430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율
300W·m-1·케이-1
열팽창(CTE)
4.5×10-6K-1


VeTek Semiconductor SiC 코팅 흑연 배럴 서셉터 생산 매장


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