SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터

SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터는 효율적이고 안정적인 심자외선 LED 에피택셜 층 성장을 지원하기 위해 MOCVD 공정용으로 설계되었습니다. VeTek Semiconductor는 중국에서 SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터의 선도적인 제조업체이자 공급업체입니다. 우리는 풍부한 경험을 가지고 있으며 많은 LED 에피택셜 제조업체와 장기적인 협력 관계를 구축했습니다. 우리는 LED용 서셉터 제품의 국내 최고 제조업체입니다. 수년간의 검증을 거쳐 당사의 제품 수명은 최고의 국제 제조업체와 동등합니다. 귀하의 문의를 기대합니다.

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제품 설명

SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터는 핵심 베어링 구성 요소입니다.MOCVD(금속유기화학기상증착) 장비. 서셉터는 원자외선 LED 에피택시 성장의 균일성, 두께 제어 및 재료 품질에 직접적인 영향을 미치며, 특히 알루미늄 함량이 높은 질화알루미늄(AlN) 에피택시층 성장에서는 서셉터의 설계와 성능이 중요합니다.

SiC 코팅 원자외선 LED 서셉터는 원자외선 LED 에피택시에 특별히 최적화되어 있으며 열적, 기계적, 화학적 환경 특성을 기반으로 정밀하게 설계되어 엄격한 공정 요구 사항을 충족합니다.

VeTek Semiconductor는 고급 처리 기술을 사용하여 작동 온도 범위 내에서 서셉터의 균일한 열 분포를 보장하고 온도 구배로 인한 에피택셜 층의 불균일한 성장을 방지합니다. 정밀 가공으로 표면 거칠기를 제어하고 입자 오염을 최소화하며 웨이퍼 표면 접촉의 열전도 효율을 향상시킵니다.

VeTek Semiconductor는 SGL 흑연을 재료로 사용하며, 표면은CVD SiC 코팅, NH3, HCl 및 고온 분위기를 오랫동안 견딜 수 있습니다. VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터는 AlN/GaN 에피택셜 웨이퍼의 열팽창 계수와 일치하여 공정 중 열 응력으로 인한 웨이퍼 뒤틀림이나 균열을 줄입니다.

가장 중요한 것은 VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 심자외선 LED 서셉터가 주류 MOCVD 장비(Veeco K465i, EPIK 700, Aixtron Crius 등 포함)에 완벽하게 적응한다는 것입니다. 웨이퍼 크기(2~8인치), 웨이퍼 슬롯 설계, 공정 온도 및 기타 요구 사항에 대한 맞춤형 서비스를 지원합니다.

애플리케이션 시나리오:

● 심자외선 LED 준비: 260 nm 이하 대역의 장치의 에피택셜 공정에 적용 가능합니다(UV-C 소독, 살균 및 기타 분야).

● 질화물 반도체 에피택시: 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등 반도체 재료의 에피택셜 준비에 사용됩니다.

● 연구 수준의 에피택셜 실험: 대학 및 연구기관에서 Deep UV 에피택시 및 신소재 개발 실험.

강력한 기술팀의 지원으로 VeTek Semiconductor는 고객 요구에 따라 고유한 사양과 기능을 갖춘 서셉터를 개발하고 특정 생산 프로세스를 지원하며 장기적인 서비스를 제공할 수 있습니다.

CVD SIC 코팅 필름의 SEM 데이터:

SEM DATA OF CVD SIC COATING FILM

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
SiC 코팅 밀도	3.21g/cm³
CVD SiC 코팅 경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg^-1·케이^-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m^-1·케이^-1
열팽창(CTE)	4.5×10^-6K^-1