CVD SiC 샤워 헤드

우리 공장에서 CVD SiC 샤워 헤드를 구입해도 안심할 수 있습니다. VeTek Semiconductor CVD SiC 샤워 헤드는 고급 화학 기상 증착(CVD) 기술을 사용하여 고체 탄화규소(SiC)로 만들어졌습니다. SiC는 탁월한 열 전도성, 내화학성 및 기계적 강도를 위해 선택되었으며 CVD SiC 샤워 헤드와 같은 대용량 SiC 부품에 이상적입니다.

제품 성능 및 장점:

반도체 제조용으로 설계된 CVD SiC 샤워 헤드는 고온과 플라즈마 처리를 견딥니다. 정밀한 가스 흐름 제어와 뛰어난 재료 특성으로 안정적인 공정과 장기적인 신뢰성을 보장합니다. CVD SiC를 사용하면 열 관리 및 화학적 안정성이 향상되어 반도체 제품 품질과 성능이 향상됩니다.

고객 요구 사항 해결:

CVD SiC 샤워 헤드는 공정 가스를 균일하게 분배하고 챔버를 오염으로부터 보호하여 에피택시 성장 효율을 향상시킵니다. 온도 제어, 화학적 안정성, 공정 일관성 등 반도체 제조 문제를 효과적으로 해결하여 고객에게 신뢰할 수 있는 솔루션을 제공합니다.

적용 시나리오:

MOCVD 시스템, Si 에피택시, SiC 에피택시에 활용되는 CVD SiC 샤워 헤드는 고품질 반도체 장치 생산을 지원합니다. 그 중요한 역할은 정밀한 공정 제어와 안정성을 보장하여 고성능의 신뢰할 수 있는 제품에 대한 다양한 고객 요구 사항을 충족합니다.

CVD SiC 샤워 헤드의 제품 매개변수:

생산공장