SiC 결정 성장을 위한 CVD SiC 블록

VeTek Semiconductor는 SiC 결정 성장을 위해 폐기된 CVD SiC 블록을 사용합니다. 화학기상증착(CVD)을 통해 생산된 초고순도 탄화규소(SiC)는 물리기상수송(PVT)을 통해 SiC 결정을 성장시키는 원료로 사용될 수 있다.

VeTek Semiconductor는 Si 및 C 함유 가스의 자연 연소로 형성된 소립자 소재에 비해 밀도가 높은 PVT용 대입자 SiC를 전문으로 합니다.

고상 소결이나 Si와 C의 반응과 달리 PVT는 성장로에서 전용 소결로나 시간이 많이 소요되는 소결 단계가 필요하지 않습니다.

현재 SiC의 급속한 성장은 일반적으로 고온화학기상증착법(HTCVD)을 통해 이루어지지만, 대규모 SiC 생산에는 사용되지 않아 추가적인 연구가 필요하다.

VeTek Semiconductor는 SiC 결정 성장을 위해 분쇄된 CVD-SiC 블록을 사용하여 고온 구배 조건에서 신속한 SiC 결정 성장을 위한 PVT 방법을 성공적으로 시연했습니다.

SiC는 우수한 특성을 지닌 와이드 밴드갭 반도체로, 특히 전력 반도체 분야에서 고전압, 고전력, 고주파 애플리케이션에 대한 수요가 높습니다.

SiC 결정은 결정성을 제어하기 위해 PVT 방법을 사용하여 0.3~0.8mm/h의 상대적으로 느린 성장 속도로 성장합니다.

SiC의 급속한 성장은 탄소 함유물, 순도 저하, 다결정 성장, 결정립계 형성, 전위 및 다공성과 같은 결함과 같은 품질 문제로 인해 어려움을 겪고 있으며 SiC 기판의 생산성을 제한합니다.

명세서:

질소를 제외한 순도 : 99.9999%(6N) 이상

불순물 수준(글로우 방전 질량 분석법에 의함)

CVD SiC 코팅의 기본 물리적 특성:

SiC 코팅 제조업체 워크샵:

산업 체인: