SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어

VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어는 가장 까다로운 에피택시 장비 응용 분야를 위해 설계되었습니다. 고품질 초순수 흑연 소재로 제작된 당사의 SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어는 표면이 매우 평탄하고 내식성이 뛰어나 취급 시 가혹한 조건을 견딜 수 있습니다. SiC 코팅 캐리어의 높은 열 전도성은 균일한 열 분포를 보장하여 탁월한 에칭 결과를 제공합니다. VeTek Semiconductor는 귀하와 장기적인 파트너십을 구축하기를 기대합니다.

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제품 설명

VeTek Semiconductor는 다년간의 SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어 생산 경험을 바탕으로 광범위한 제품을 공급할 수 있습니다.SiC 코팅또는TaC 코팅반도체 산업을 위한 예비 부품. 아래 제품 목록 외에도 특정 요구 사항에 따라 고유한 SiC 코팅 또는 TaC 코팅 부품을 맞춤 설정할 수도 있습니다. 문의해 주셔서 감사합니다.

ICP 캐리어, PSS 캐리어, RTP 캐리어 또는 RTP 캐리어라고도 알려진 VeTek Semiconductor의 SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어는 반도체 산업의 다양한 응용 분야에 사용되는 중요한 구성 요소입니다. 실리콘 카바이드 코팅 흑연은 이러한 전류 캐리어를 제조하는 데 사용되는 주요 재료입니다. 사파이어 기판의 열전도율보다 10배 이상 높은 열전도율을 가지고 있습니다. 높은 롤러 전계 강도 및 최대 전류 밀도와 결합된 이 특성은 다양한 응용 분야, 특히 반도체 고전력 부품에서 실리콘을 대체할 수 있는 잠재적인 실리콘 카바이드에 대한 탐구를 촉발시켰습니다. SiC 전류 캐리어 플레이트는 열 전도성이 높아 다음 용도에 이상적입니다.LED 제조 공정.

효율적인 방열을 보장하고 우수한 전기 전도성을 제공하여 고출력 LED 생산에 기여합니다. 게다가, 이 캐리어 플레이트는 우수한 특성을 가지고 있습니다.플라즈마 저항긴 사용 수명을 보장하여 까다로운 반도체 제조 환경에서 안정적인 성능과 수명을 보장합니다.

SiC 코팅 ICP 에칭 캐리어의 제품 매개변수:

기본 물리적 특성CVD SiC 코팅
재산	일반적인 값
결정 구조	FCC β상 다결정, 주로 (111) 방향
밀도	3.21g/cm³
경도	비커스 경도 2500(500g 하중)
입자 크기	2~10μm
화학적 순도	99.99995%
열용량	640J·kg^-1·케이^-1
승화 온도	2700℃
굴곡강도	415MPa RT 4점
영률	430 Gpa 4pt 벤드, 1300℃
열전도율	300W·m^-1·케이^-1
열팽창(CTE)	4.5×10-6K^-1