실리콘 에피택시의 특성

실리콘 에피택시의 특징은 다음과 같습니다.

고순도: 화학 기상 증착(CVD)으로 성장한 실리콘 에피택셜 층은 기존 웨이퍼보다 순도가 매우 높고 표면 평탄도가 더 좋으며 결함 밀도가 더 낮습니다.

박막 균일성: 실리콘 에피택시는 특정 보장된 성장률 하에서 매우 균일한 박막을 형성할 수 있습니다. 동시에 가열의 균일성을 얻을 수 있어 결정구조 결함을 줄이고 결정의 품질을 향상시킬 수 있다.

강력한 제어성: 실리콘 에피택시 기술은 실리콘 재료의 형태, 크기 및 구조를 정확하게 제어할 수 있으며 다층 이종접합과 같은 복잡한 결정 구조를 성장시킬 수 있습니다.

대직경 웨이퍼 직경: 실리콘 에피택셜 성장 기술은 대직경의 실리콘 웨이퍼를 성장시킬 수 있으며, 대직경 실리콘 웨이퍼 생산 능력은 반도체 생산에 매우 중요합니다.

공정 신뢰성: 실리콘 에피택셜 공정은 여러 번 재사용할 수 있으며 이는 반도체 장치의 대량 생산에 매우 중요합니다.